Samsung rusza z produkcją modułów pamięci 20 nm 6 Gb LPDDR3 Mobile DRAM2014-09-19Firma Samsung Electronics potwierdziła rozpoczęcie masowej produkcji układów pamięci 6 gigabitów (Gb) typu low-power double data rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAM, opartych na technologii 20 nanometrów (nm). Mają one zapewniać dłuższą pracę baterii i szybsze wczytywanie aplikacji na urządzeniach mobilnych o dużych ekranach i większej rozdzielczości.